beskriva fysikaliska fenomen och beräkna fysikaliska storheter inom halvledarfysik,
övergripande redogöra för kvantfysikaliska fenomen inom halvledarkomponenter,
förklara principerna för dagens halvledarkomponenter såsom dioder och transistorer särskilt deras IV- (ström-spänning) och CV-karakteristik (kapacitans-spänning),
kritiskt analysera vetenskapliga artiklar och litteratur inom ämnet.
Kursinnehåll
Fasta och rörliga laddningar samt dopning. Generation och rekombination av laddningsbärare. Teorin för strömtransport i halvledare (kontinuitetsekvationen). pn-övergången och metall-halvledar-övergången. MOS-kondensatorn. MOS-transistorn. Tillverkningsteknik för halvledare. Piezoelektricitet, Peltier- och Seebeckeffekten, solceller.
Förutsättningar
120 hp inom teknik/naturvetenskap, inklusive Elektronik I/Analog elektronik och Kvantfysik/Kvantfysik F/Fasta tillståndets fysik I/Modern fysik. Engelska 6. (Med en svensk kandidatexamen uppfylls kravet på engelska.)